Ученые заменят флеш-память терабайтным резистивным накопителем

——————————
Ученые из Калифорнийского университета разработали технологию новых накопителей для мобильной электроники. Она найдет свое применение в смартфонах, планшетах, ноутбуках и цифровых камерах. В основе лежит резистивная память, позволяющая делать ячейки памяти очень маленькими. Она работает на высокой скорости и позволяет создавать накопители большего объема, чем на базе флеш-технологии, которая в настоящее время является промышленным стандартом. Для резистивной памяти обычен накопитель, емкость которого исчисляется в терабайтах, а не в гигабайтах, как это сегодня привычно. Скоро знание о том, как работает флешка займет место в учебниках истории.
Ключевым моментом технологии является разработка нано-«островков» из оксида цинка, размещаемой на кремниевой основе. Это позволяет устранить второй элемент, именуемый устройством-переключателем, в роли которого часто выступает диод.
Резистивная память обычно характеризуется металл-оксид-металлической структурой. Учеными была продемонстрирована альтернатива, сформированная из нано-«островков», материалом для формирования которых является оксид цинка.